型号: CGHV35060MP
功能描述: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 2.7-3.1GHz, 60 Watt
制造商: Wolfspeed / Cree
制造商: Cree, Inc.
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管类型: HEMT
技术: GaN
增益: 14.5 dB
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 150 V
Vgs-栅源极击穿电压 : - 10 V, 2 V
Id-连续漏极电流: 10.4 A
输出功率: 75 W
最大漏极/栅极电压: 50 V
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 107 C
Pd-功率耗散: 52 W
安装风格: SMD/SMT
封装: Reel
应用: S Band Radar and LTE base stations
配置: Single
工作频率: 3.5 GHz
工作温度范围: - 40 C to + 107 C
商标: Wolfspeed / Cree
产品类型: RF JFET Transistors
工厂包装数量: 250
子类别: Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压: - 3 V
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