型号: CGHV59350F
功能描述: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 5.2-5.9GHz, 350 Watt
制造商: Wolfspeed / Cree
制造商: Cree, Inc.
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
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RoHS: 是
晶体管类型: HEMT
技术: GaN
增益: 11 dB
Vds-漏源极击穿电压: 125 V
Vgs-栅源极击穿电压 : - 10 V, 2 V
输出功率: 450 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
安装风格: SMD/SMT
封装: Tray
高度: 5.03 mm
长度: 24.26 mm
工作频率: 5900 MHz
工作温度范围: - 40 C to + 85 C
产品: C-Band Radar HEMT
宽度: 23.01 mm
商标: Wolfspeed / Cree
通道数量: 1 Channel
产品类型: RF JFET Transistors
工厂包装数量: 15
子类别: Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压: - 3 V
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