型号:  CJ3139KDW-G

功能描述:  MOSFET MOSFET DUAL P-CHANNEL

制造商:  Comchip Technology

制造商:  Comchip Technology

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-363-6

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  20 V

Id-连续漏极电流:  660 mA

Rds On-漏源导通电阻:  520 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  350 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  12 V

Qg-栅极电荷:  -

最小工作温度:  - 40 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  150 mW

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

商标:  Comchip Technology

正向跨导 - 最小值:  0.8 S

下降时间:  20.3 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  5.8 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  32.7 ns

典型接通延迟时间:  9 ns

单位重量:  6 mg