型号: CJ3439KDW
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：750mA,660mA 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.1V @ 250uA 漏源导通电阻：520mΩ @ 1A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：N沟道和P沟道
制造商: CJ（江苏长电/长晶）
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 750mA,660mA
栅源极阈值电压: 1.1V @ 250uA
漏源导通电阻: 520mΩ @ 1A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）: -
类型: N沟道和P沟道
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：小柯
电话：13332931905
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：王俊杰
电话：18818598465
Q Q:
联系人：李德翔
Q Q:
联系人：陈伟杰
电话：15914022833
Q Q:
联系人：彭伟平
Q Q:
