型号: CJAE2002
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：15A 漏源电压（Vdss）：18V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：5.5mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3W 类型：双N沟道(共漏)
制造商: CJ（江苏长电/长晶）
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 18V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 15A
栅源极阈值电压: 1V @ 250uA
漏源导通电阻: 5.5mΩ @ 3A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 3W
类型: 双N沟道(共漏)
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