型号: CJD112 TR13
功能描述: CJD112 Series 100 V 2 A NPN Silicon Power Darlington Transistor - TO-252
制造商: Central Semiconductor
晶体管类型： NPN - 达林顿
Current-Collector(Ic)(Max)： 2A
Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max)： 100V
不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）： 3V @ 40mA，4A
电流-集电极截止（最大值）： 20µA
不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）： 1000 @ 2A，3V
Power-Max： 1.75W
频率-跃迁： 25MHz
工作温度： -65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： DPAK
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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