型号: CJD44H11
功能描述: COMPLEMENTARY SILICON
制造商: Central Semiconductor
晶体管极性: NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO: 80 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
最大直流电集电极电流: 16 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 40
最大工作频率: 60 MHz
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK
封装: Reel
集电极连续电流: 8 A
功率耗散: 20 W
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