型号: CLY2
功能描述: 射频JFET晶体管 GaAs LN MMIC
制造商: TriQuint Semiconductor
类型： GaAs HEMT
漏源电压 VDS： 9 V
闸/源击穿电压： - 6 V
漏极连续电流： 650 mA
频率： 1.8 GHz
增益： 14.5 dB
功率耗散： 900 mW
最大工作温度： + 150 C
安装风格： SMD/SMT
封装 / 箱体： MW-6
封装： Reel
商标： TriQuint Semiconductor
P1dB： 23.5 dBm
产品： RF JFET
工厂包装数量： 3000
零件号别名： 1014601
ROHS： 无铅
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