型号: CLY5
功能描述: 射频JFET晶体管 GaAs Power MMIC
制造商: TriQuint Semiconductor
类型: GaAs HEMT
漏源电压 VDS: 9 V
闸/源击穿电压: - 6 V
漏极连续电流: 1 A
频率: 1.8 GHz
增益: 9.5 dB
功率耗散: 2 W
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-223
封装: Reel
商标: TriQuint Semiconductor
噪声系数: 1.72 dB
P1dB: 26.5 dBm
产品: RF JFET
工厂包装数量: 1000
零件号别名: 1014602
ROHS: 无铅
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