型号: CLY5
功能描述: 射频JFET晶体管 GaAs Power MMIC
制造商: TriQuint Semiconductor
类型： GaAs HEMT
漏源电压 VDS： 9 V
闸/源击穿电压： - 6 V
漏极连续电流： 1 A
频率： 1.8 GHz
增益： 9.5 dB
功率耗散： 2 W
最大工作温度： + 150 C
安装风格： SMD/SMT
封装 / 箱体： SOT-223
封装： Reel
商标： TriQuint Semiconductor
噪声系数： 1.72 dB
P1dB： 26.5 dBm
产品： RF JFET
工厂包装数量： 1000
零件号别名： 1014602
ROHS： 无铅
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：李小姐
电话：15302619915
Q Q:
联系人：廖先生
电话：13926543930
Q Q:
联系人：曾小姐
Q Q:
联系人：雅可
电话：18824568578
Q Q:
联系人：林桂新
电话：13316917545
Q Q:
