型号: CLY5
功能描述: 射频JFET晶体管 GaAs Power MMIC
制造商: TriQuint Semiconductor
类型： GaAs HEMT
漏源电压 VDS： 9 V
闸/源击穿电压： - 6 V
漏极连续电流： 1 A
频率： 1.8 GHz
增益： 9.5 dB
功率耗散： 2 W
最大工作温度： + 150 C
安装风格： SMD/SMT
封装 / 箱体： SOT-223
封装： Reel
商标： TriQuint Semiconductor
噪声系数： 1.72 dB
P1dB： 26.5 dBm
产品： RF JFET
工厂包装数量： 1000
零件号别名： 1014602
ROHS： 无铅
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