型号: CMF10120D
功能描述: Wolfspeed SiC N沟道 MOSFET CMF10120D, 24 A, Vds=1200 V, 3引脚 TO-247封装
制造商: WOLFSPEED
通道类型： N
最大连续漏极电流： 24 A
最大漏源电压： 1200 V
最大漏源电阻值： 240 m0hms
最大栅阈值电压： 4.1V
最小栅阈值电压： 3.1V
最大栅源电压： -5 V、+25 V
封装类型： TO-247
安装类型： 通孔
引脚数目： 3
晶体管配置： 单
通道模式： 增强
类别： 功率 MOSFET
最大功率耗散： 134 W
最低工作温度： -55 °C
最高工作温度： +150 °C
每片芯片元件数目： 1
长度： 16.13mm
高度： 21.1mm
宽度： 5.21mm
晶体管材料： SiC
典型栅极电荷@Vgs： 47.1 nC @ 20 V
典型输入电容值@Vds： 928 pF @ 800 V
典型关断延迟时间： 38 ns
典型接通延迟时间： 8.8 ns
尺寸： 16.13 x 5.21 x 21.1mm
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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