型号: CMF20120D
功能描述: Cree Inc/分立半导体产品
制造商: Cree Inc
产品培训模块： 1200V SiC Mosfet Overview
视频文件： Cree's Silicon Carbide Mosfets -- Another Geek Moment
标准包装： 30
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： Z-FET??
包装： 管件
FET 类型： SiCFET N 通道，碳化硅
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 1200V（1.2kV）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 42A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 110 毫欧 @ 20A，20V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 90.8nC @ 20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 1915pF @ 800V
功率 - 最大值： 150W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-247-3
供应商器件封装： TO-247-3
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