型号: CMLDM3757
功能描述:
制造商: Central Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N and P-Channel
汲极/源极击穿电压: 20 V
闸/源击穿电压: 8 V
漏极连续电流: 540 mA, 430 mA
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.35 Ohms
配置: Dual
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-563
封装: Reel
栅极电荷 Qg: 1.58 nC
功率耗散: 350 mW
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