型号: CMLDM8120G TR
功能描述: MOSFET P-Ch Enh FET 20VDS 8.0VGS
制造商: Central Semiconductor
制造商: Central Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-563
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 860 mA
Rds On-漏源导通电阻: 240 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 760 mV
Vgs - 栅极-源极电压: 8 V
Qg-栅极电荷: 3.56 nC
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 350 mW
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
系列: CMLDM8
商标: Central Semiconductor
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
零件号别名: CMLDM8120G PBFREE TR
单位重量: 3 mg
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