型号:  CMRDM3575 TR

功能描述:  MOSFET 20V N-Ch P-Ch FET 8.0Vgs 125mW

制造商:  Central Semiconductor

制造商:  Central Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-963

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  20 V

Id-连续漏极电流:  160 mA, 140 mA

Rds On-漏源导通电阻:  1.5 Ohms, 4 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:  400 mV, 1 V

Vgs - 栅极-源极电压:  8 V

Qg-栅极电荷:  458 pC, 500 pC

最小工作温度:  - 65 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  125 mW

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

商标名:  ATTOmini

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

系列:  CMRDM

晶体管类型:  1 N-Channel, 1 P-Channel

商标:  Central Semiconductor

正向跨导 - 最小值:  1.3 S, 140 mS

产品类型:  MOSFET

工厂包装数量:  8000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  85 ns, 100 ns

典型接通延迟时间:  25 ns, 35 ns

零件号别名:  CMRDM3575 PBFREE TR