型号: CMS25N03V8-HF
功能描述: MOSFET N-CH 20VDS 30VGS 25A PDFN
制造商: Comchip Technology
包装: 标准卷带
系列: -
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 25A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值): 18 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值): 7.2nC @ 4.5V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 572pF @ 15V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1.7W (Ta), 20W (Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-PDFN(SPR-PAK )(3.3x3.3)
封装/外壳: 8-PowerWDFN
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