型号:  CMUDM8005 TR

功能描述:  MOSFET 20V P-Ch Enh FET 8.0Vgs 650mA 300mW

制造商:  Central Semiconductor

制造商:  Central Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-523

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  20 V

Id-连续漏极电流:  650 mA

Rds On-漏源导通电阻:  250 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1 V

Vgs - 栅极-源极电压:  8 V

Qg-栅极电荷:  1.2 nC

最小工作温度:  - 65 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  300 mW

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  UltraMini

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

系列:  CMUDM8

晶体管类型:  1 P-Channel

商标:  Central Semiconductor

正向跨导 - 最小值:  200 mS

产品类型:  MOSFET

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  48 ns

典型接通延迟时间:  38 ns

零件号别名:  CMUDM8005 PBFREE TR

单位重量:  2 mg