型号: CMXT2207 TR
功能描述: NPN/PNP 350 mW 40 / 60 V SMT Dual Complementary Silicon Transistor - SOT-26
制造商: Central Semiconductor
晶体管类型： NPN，PNP
电流-集电极（Ic）（最大值）： 600mA
电压-集射极击穿（最大值）： 40V，60V
不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）： 1V @ 50mA，500mA / 1.6V @ 50mA，500mA
电流-集电极截止（最大值）： 10nA（ICBO）
不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）： 100 @ 150mA，10V
功率-最大值： 350mW
频率-跃迁： 300MHz，200MHz
工作温度： -65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SOT-26
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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