型号: CMZ13(TE12L,Q,M)
功能描述:
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
电压 - 齐纳（标称值）（Vz）： 13V
偏差： ±10%
功率 - 最大值： 2W
阻抗（最大值）（Zzt）： 30 Ohms
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流： 10µA
电压，耦合至电流 - 反向泄漏 @ Vr： 9V
不同 If 时的电压 - 正向（Vf： 1.2V
电流，耦合至电压 - 正向（Vf）（最大值）@ If： 200mA
工作温度： -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SOD-128
供应商器件封装： M-FLAT（2.4x3.8）
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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