型号: CP191V-2N2222A-CT
功能描述:
制造商: Central Semiconductor
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极(Ic)(最大值): 800mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 40V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值): 1V @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值): 10nA(ICBO)
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值): 100 @ 150mA,10V
频率 - 跃迁: 300MHz
工作温度: -65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 模具
供应商器件封装: 模具
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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