型号: CP647-PMD19K100-WN
功能描述:
制造商: Central Semiconductor
晶体管类型： PNP - 达林顿
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 30A
电压 - 集射极击穿（最大值）： 100V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）： 2.8V @ 60mA，15A
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 800 @ 15A，3V
频率 - 跃迁： 4MHz
工作温度： -65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 模具
供应商器件封装： 模具
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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