型号: CPC3730C
功能描述:
制造商: IXYS Integrated Circuits Division
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 350V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 0V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 200pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds： 25V
FET 功能： 耗尽模式
功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 35 欧姆 @ 140mA，0V
工作温度： -55°C ~ 125°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： SOT-89
封装/外壳： TO-243AA
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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