型号: CPC3730C
功能描述:
制造商: IXYS Integrated Circuits Division
FET 类型: N 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 350V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 0V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 200pF
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds: 25V
FET 功能: 耗尽模式
功率耗散(最大值): 1.6W(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 35 欧姆 @ 140mA,0V
工作温度: -55°C ~ 125°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
供应商器件封装: SOT-89
封装/外壳: TO-243AA
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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