型号: CPC5603CTR
功能描述: N-Channel 350 V 5 mA Depletion Mode FET SMT - SOT-223
制造商: IXYS
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 5mA（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： -0.35V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 300pF @ 0V
Vgs（最大值）： ±20V
FET功能： 耗尽模式
功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 14 欧姆 @ 50mA，350mV
工作温度： -40°C ~ 85°C（TA）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA
封装形式Package： SOT-223
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 415V
连续漏极电流ID： 0.005A
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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