型号:  CPH5506-TL-E

功能描述:  

制造商:  ON Semiconductor

晶体管类型：  NPN，PNP（耦合发射器）

不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）：  225mV @ 15mA，750mA / 375mV @ 15mA，750mA

电流-集电极截止（最大值）：  100nA（ICBO）

不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）：  200 @ 100mA，2V

功率-最大值：  1.2W

频率-跃迁：  500MHz，450MHz

工作温度：  150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  5-CPH

封装形式Package：  CPH

极性Polarity：  NPN+PNP

集电极最大允许电流Ic：  1.5A

集电极_发射极击穿电压VCEO：  30V

功率 - 最大值：  1.2W

频率 - 跃迁：  500MHz，450MHz

封装/外壳：  SOT-23-5 细型，TSOT-23-5

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：  1.5A

电压 - 集射极击穿（最大值）：  30V

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：  225mV @ 15mA，750mA / 375mV @ 15mA，750mA

电流 - 集电极截止（最大值）：  100nA（ICBO）

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：  200 @ 100mA，2V

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs