型号: CPH5524-TL-E
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
晶体管类型： NPN，PNP（耦合发射器）
不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）： 240mV @ 100mA，2A
电流-集电极截止（最大值）： 1µA（ICBO）
不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）： 200 @ 100mA，2V
功率-最大值： 1.2W
频率-跃迁： 380MHz
工作温度： 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 5-CPH
封装形式Package： CPH
极性Polarity： NPN+PNP
集电极最大允许电流Ic： 3A
集电极_发射极击穿电压VCEO： 50V
功率 - 最大值： 1.2W
频率 - 跃迁： 380MHz
封装/外壳： SOT-23-5 细型，TSOT-23-5
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 3A
电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）： 240mV @ 100mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）： 1µA（ICBO）
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 200 @ 100mA，2V
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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