型号: CPH6337-TL-E
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型： P 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 12V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 3.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 1.4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 5.6nC @ 4.5V
Vgs（最大值）： ±10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 405pF @ 6V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 70 毫欧 @ 1.5A，4.5V
工作温度： 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： 6-CPH
封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：林先生
电话：15913992480
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：柯小姐
电话：13342753456
Q Q:
联系人：孟丽娜
电话：13538160619
Q Q:
联系人：廖先生
电话：13413414855
Q Q:
