型号: CPH6531-TL-E
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
晶体管类型: 2 PNP(双)
不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值): 380mV @ 10mA,500mA
电流-集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)
不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值): 200 @ 100mA,2V
功率-最大值: 1.1W
频率-跃迁: 420MHz
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-CPH
封装形式Package: CPH
极性Polarity: PNP
集电极最大允许电流Ic: 1A
集电极_发射极击穿电压VCEO: 50V
功率 - 最大值: 1.1W
频率 - 跃迁: 420MHz
封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
电流 - 集电极(Ic)(最大值): 1A
电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值): 380mV @ 10mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值): 200 @ 100mA,2V
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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