型号: CQY37N
功能描述: 红外发射源 GaAs IR EMIT DIODE
制造商: Vishay Semiconductors
制造商: Vishay
产品种类: 红外发射源
RoHS: 是
安装风格: Through Hole
波长: 950 nm
辐射强度: 5 mW/sr
射束角: 12 deg
If - 正向电流: 50 mA
Vf - 正向电压: 1.6 V
功率额定值: 170 mW
最小工作温度: - 25 C
最大工作温度: + 100 C
封装: Tube
高度: 2.9 mm
照明颜色: Infrared
长度: 3.3 mm
宽度: 2.4 mm
商标: Vishay Semiconductors
透镜形状: Circular
显示角: 12 deg
下降时间: 450 ns
透镜尺寸: 1.8 mm x 1.8 mm x 1.55 mm
产品类型: IR Emitters (IR LEDs)
上升时间: 400 ns
工厂包装数量: 5000
子类别: Infrared Data Communications
Vr - 反向电压 : 5 V
单位重量: 100 mg
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