型号: CRSS046N08N
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：85V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4.6mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：189W(Tc) 类型：N沟道
制造商: CRMICRO(华润微)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 85V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 120A(Tc)
栅源极阈值电压: 4V @ 250uA
漏源导通电阻: 4.6mΩ @ 50A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 189W(Tc)
类型: N沟道
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：王俊杰
电话：18818598465
Q Q:
联系人：钟小姐，王先生
电话：13418830030
Q Q:
联系人：曾先生
Q Q:
联系人：高亮
电话：18926500078
Q Q:
联系人：韩小姐
电话：13418855431
Q Q:
