型号: CRTT084NE6N
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：81A(Tc) 漏源电压（Vdss）：68V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：8.4mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：111W(Tc) 类型：N沟道
制造商: CRMICRO(华润微)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 68V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 81A(Tc)
栅源极阈值电压: 4V @ 250uA
漏源导通电阻: 8.4mΩ @ 40A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 111W(Tc)
类型: N沟道
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：王俊杰
电话：18818598465
Q Q:
联系人：彭先生，许娜
电话：19068068798
Q Q:
联系人：张小姐
电话：18680346787
Q Q:
联系人：李生
电话：13602549709
Q Q:
联系人：欧晓纯
电话：13650707664
Q Q:
