型号: CRZ39(TE85L,Q,M)
功能描述:
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
电压 - 齐纳（标称值）（Vz）： 39V
偏差： ±10%
功率 - 最大值： 700mW
阻抗（最大值）（Zzt）： 35 Ohms
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流： 10µA
电压，耦合至电流 - 反向泄漏 @ Vr： 31.2V
不同 If 时的电压 - 正向（Vf： 1V
电流，耦合至电压 - 正向（Vf）（最大值）@ If： 200mA
工作温度： -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SOD-123F
供应商器件封装： S-FLAT（1.6x3.5）
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：王静
电话：13261242936
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联系人：Alien
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