型号: CS12N65FA9R
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：800mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：42W(Tc) 类型：N沟道
制造商: 华润华晶
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 650V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 12A(Tc)
栅源极阈值电压: 4V @ 250uA
漏源导通电阻: 800mΩ @ 6A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 42W(Tc)
类型: N沟道
联系人：胡双能
电话：13828773769
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13534200224
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：杨德龙
电话：15817289960
Q Q:
联系人：李
Q Q:
联系人：苏明水
电话：13809710366
Q Q:
