型号: CS13N50FA9R
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：13A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：500mΩ @ 6.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：42W(Tc) 类型：N沟道
制造商: 华润华晶
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 500V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 13A(Tc)
栅源极阈值电压: 4V @ 250uA
漏源导通电阻: 500mΩ @ 6.5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 42W(Tc)
类型: N沟道
联系人：胡双能
电话：13828773769
Q Q:
联系人：王小姐
电话：13715037703
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：曹鑫
电话：13682535788
Q Q:
联系人：李嘉良
电话：18607632774
Q Q:
联系人：王成
电话：010-56762419
Q Q:
