型号: CS16N06AE-G
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：16A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：10mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W 类型：N沟道
制造商: 华润华晶
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 16A
栅源极阈值电压: 3V @ 250uA
漏源导通电阻: 10mΩ @ 8A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 3.1W
类型: N沟道
联系人：Alien
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：王小康
电话：18188642307
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：胡双能
电话：13828773769
Q Q:
联系人：石满满
电话：13051098960
Q Q:
联系人：路小姐
电话：15210320829
Q Q:
联系人：朱先生
电话：13532530515
Q Q:
联系人：李明
电话：13931038256
Q Q:
