型号: CS25N06B4
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：25A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：36mΩ @ 18A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W(Tc) 类型：N沟道
制造商: 华润华晶
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 25A(Tc)
栅源极阈值电压: 3V @ 250uA
漏源导通电阻: 36mΩ @ 18A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 50W(Tc)
类型: N沟道
联系人：Alien
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：王小康
电话：18188642307
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：林先生
电话：13723780117
Q Q:
联系人：闫小姐
电话：13728661741
Q Q:
联系人：潘师傅
电话：13757510678
Q Q:
