型号: CS7N65A4R
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.4Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：100W(Tc) 类型：N沟道
制造商: 华润华晶
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 650V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 7A(Tc)
栅源极阈值电压: 4V @ 250uA
漏源导通电阻: 1.4Ω @ 3.5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 100W(Tc)
类型: N沟道
联系人：杨先生
电话：13534200224
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：彭先生，许娜
电话：19068068798
Q Q:
联系人：贺文华
电话：13066866558
Q Q:
联系人：张琳琳
电话：82730582
Q Q:
联系人：周然
电话：13724311148
Q Q:
