型号:  CSD13306WT

功能描述:  MOSFET 12V N-Channel NexFET Power MOSFET

制造商:  Texas Instruments

制造商:  Texas Instruments

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  DSBGA-6

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  12 V

Id-连续漏极电流:  3.5 A

Rds On-漏源导通电阻:  10.2 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  700 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  10 V

Qg-栅极电荷:  8.6 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  1.9 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  NexFET

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  0.62 mm

长度:  1.5 mm

系列:  CSD13306W

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  1 mm

商标:  Texas Instruments

正向跨导 - 最小值:  15 S

下降时间:  8 ns

湿度敏感性:  Yes

产品类型:  MOSFET

上升时间:  11 ns

工厂包装数量:  250

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  20 ns

典型接通延迟时间:  7 ns

单位重量:  1.700 mg