型号: CSD16327Q3
功能描述: MOSFET N-Channel NexFET Pwr MOSFET
制造商: Texas Instruments
制造商: Texas Instruments
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: VSON-Clip-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 25 V
Id-连续漏极电流: 100 A
Rds On-漏源导通电阻: 4.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 6.2 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 3 W
配置: Single
商标名: NexFET
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 1 mm
长度: 3.3 mm
系列: CSD16327Q3
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 3.3 mm
商标: Texas Instruments
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
单位重量: 44 mg
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