型号: CSD16411Q3/2801
功能描述: MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON
制造商: Texas Instruments
标准包装： 2,500
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： NexFET™
包装： 带卷 （TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)： 25V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）： 56A （Ta）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）： 15 毫欧 @ 10A， 4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）： 2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)： 3.8nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)： 570pF @ 12.5V
功率 - 最大值： 2.7W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-TDFN 裸露焊盘
供应商器件封装： 8-SON（3.3x3.3）
ROHS： 无铅
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