型号:  CSD17313Q2T

功能描述:  MOSFET 30V, N-Channel NexFET Power Mosfet

制造商:  Texas Instruments

制造商:  Texas Instruments

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  WSON-FET-6

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  30 V

Id-连续漏极电流:  5 A

Rds On-漏源导通电阻:  32 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  900 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  10 V, - 8 V

Qg-栅极电荷:  2.1 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  17 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  NexFET

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  0.75 mm

长度:  2 mm

系列:  CSD17313Q2

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  2 mm

商标:  Texas Instruments

正向跨导 - 最小值:  16 S

下降时间:  1.3 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  3.9 ns

工厂包装数量:  250

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  4.2 ns

典型接通延迟时间:  2.8 ns