型号:  CSD17579Q5AT

功能描述:  MOSFET 30V N-Channel NexFET Power MOSFET

制造商:  Texas Instruments

制造商:  Texas Instruments

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  VSONP-8

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  30 V

Id-连续漏极电流:  25 A

Rds On-漏源导通电阻:  11.6 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  5.4 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  36 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  NexFET

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  1 mm

长度:  6 mm

系列:  CSD17579Q5A

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  4.9 mm

商标:  Texas Instruments

正向跨导 - 最小值:  36 S

下降时间:  1 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  7 ns

工厂包装数量:  250

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  13 ns

典型接通延迟时间:  3 ns

单位重量:  24 mg