型号:  CSD18510KTT

功能描述:  MOSFET GEN1.4 40V-20V

制造商:  Texas Instruments

制造商:  Texas Instruments

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TO-263-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  40 V

Id-连续漏极电流:  200 A

Rds On-漏源导通电阻:  2 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1.4 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  153 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  250 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  NexFET

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  19.7 mm

长度:  9.25 mm

系列:  CSD18510KTT

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  10.26 mm

商标:  Texas Instruments

正向跨导 - 最小值:  330 S

下降时间:  8 ns

湿度敏感性:  Yes

产品类型:  MOSFET

上升时间:  8 ns

工厂包装数量:  500

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  29 ns

典型接通延迟时间:  10 ns

单位重量:  2.200 g