型号:  CSD19531KCS

功能描述:  MOSFET 100V 6.4mOhm Pwr MOSFET

制造商:  Texas Instruments

制造商:  Texas Instruments

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-220-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  100 V

Id-连续漏极电流:  200 A

Rds On-漏源导通电阻:  7.7 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  2.7 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  38 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  179 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  NexFET

封装:  Tube

高度:  16.51 mm

长度:  10.67 mm

系列:  CSD19531KCS

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  4.7 mm

商标:  Texas Instruments

下降时间:  4.1 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  7.2 ns

工厂包装数量:  50

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  16 ns

典型接通延迟时间:  8.4 ns

单位重量:  6 g