型号:  CSD19538Q3AT

功能描述:  MOSFET 100V N ch MOSFET

制造商:  Texas Instruments

制造商:  Texas Instruments

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  VSONP-8

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  100 V

Id-连续漏极电流:  15 A

Rds On-漏源导通电阻:  61 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  3.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  4.3 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  2.8 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  NexFET

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  0.9 mm

长度:  3.15 mm

系列:  CSD19538Q3A

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  3 mm

商标:  Texas Instruments

下降时间:  2 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  3 ns

工厂包装数量:  250

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  7 ns

典型接通延迟时间:  5 ns