型号:  CSD23382F4T

功能描述:  MOSFET P-Ch NexFET Power MOSFET

制造商:  Texas Instruments

制造商:  Texas Instruments

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  PICOSTAR-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  12 V

Id-连续漏极电流:  3.5 A

Rds On-漏源导通电阻:  199 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  800 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  800 mV

Qg-栅极电荷:  1.04 nC

Pd-功率耗散:  500 mW (1/2 W)

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  NexFET

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  0.35 mm

长度:  1 mm

系列:  CSD23382F4

晶体管类型:  1 P-Channel

宽度:  0.64 mm

商标:  Texas Instruments

正向跨导 - 最小值:  3.4 S

下降时间:  41 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  25 ns

工厂包装数量:  250

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  66 ns

典型接通延迟时间:  28 ns

单位重量:  0.400 mg