型号:  CSD25402Q3A

功能描述:  MOSFET P-CH Pwr MOSFET

制造商:  Texas Instruments

制造商:  Texas Instruments

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  VSONP-8

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  20 V

Id-连续漏极电流:  76 A

Rds On-漏源导通电阻:  8.9 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  650 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  4.5 V

Qg-栅极电荷:  7.5 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 125 C

Pd-功率耗散:  69 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  NexFET

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  0.9 mm

长度:  3.15 mm

系列:  CSD25402Q3A

晶体管类型:  1 P-Channel Power MOSFET

宽度:  3 mm

商标:  Texas Instruments

下降时间:  12 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  7 ns

工厂包装数量:  2500

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  25 ns

典型接通延迟时间:  10 ns