型号:  CSD25501F3T

功能描述:  MOSFET 20V P CH MOSFET

制造商:  Texas Instruments

制造商:  Texas Instruments

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  PICOSTAR-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  20 V

Id-连续漏极电流:  3.6 A

Rds On-漏源导通电阻:  260 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1.05 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  1.02 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  500 mW

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  Reel

系列:  CSD25501F3

晶体管类型:  1 P-Channel

商标:  Texas Instruments

正向跨导 - 最小值:  3.4 S

下降时间:  945 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  428 ns

工厂包装数量:  250

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  1154 ns

典型接通延迟时间:  474 ns

单位重量:  0.300 mg