型号: CSD75211W1723
功能描述: Texas Instruments/分立半导体产品
制造商: Texas Instruments
产品培训模块： NexFET MOSFET Technology
视频文件： NexFET Power Block PowerStack? Packaging Technology Overview
标准包装： 3,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 阵列
系列： NexFET??
包装： 带卷（TR）
FET 类型： 2 个 P 沟道（双）
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 4.5A
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 40 毫欧 @ 2A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 1.1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 5.9nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 600pF @ 10V
功率 - 最大值： 1.5W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 12-UFBGA，DSBGA
供应商器件封装： 12-DSBGA（1.53x1.98）
其它名称： 296-27598-2
联系人：韩雪
电话：18124047120
Q Q:
联系人：朱芳仪
电话：18123863116
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电话：13480875861
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