型号: CSD86350Q5DT
功能描述: 25V POWERBLOCK N CH MOSFET
制造商: Texas Instruments
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
系列: -
零件状态: 有源
FET 类型: 2 个 N 通道（半桥）
FET 功能: 标准
漏源电压（Vdss）: 25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 40A（Ta）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 5 毫欧 @ 25A，5V，1.1 毫欧 @ 25A，5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.1V @ 250µA，1.6V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 10.7nC，25nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1870pF，4000pF @ 12.5V
功率 - 最大值: 13W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerLDFN
供应商器件封装: 8-LSON（5x6）
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