型号:  CSD87334Q3D

功能描述:  MOSFET 30V Powerblock N ch MOSFET

制造商:  Texas Instruments

制造商:  Texas Instruments

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  VSON-8

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  30 V

Id-连续漏极电流:  20 A

Rds On-漏源导通电阻:  8.3 mOhms, 8.3 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  750 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  8 V

Qg-栅极电荷:  8.3 nC, 8.3 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  6 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  NexFET

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  1 mm

长度:  3.3 mm

系列:  CSD87334Q3D

晶体管类型:  1 N-channel

宽度:  3.3 mm

商标:  Texas Instruments

下降时间:  17 ns, 17 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  7 ns, 7 ns

工厂包装数量:  2500

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  11 ns, 11 ns

典型接通延迟时间:  4 ns, 4 ns

单位重量:  76 mg