型号:  CSD87501LT

功能描述:  MOSFET 30V Dual N-Ch Common Drain NexFET

制造商:  Texas Instruments

制造商:  Texas Instruments

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  BGA-10

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  30 V

Id-连续漏极电流:  14 A

Rds On-漏源导通电阻:  4.6 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1.3 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  15 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  2.5 W

配置:  Dual

商标名:  NexFET

封装:  Reel

高度:  0.2 mm

长度:  3.37 mm

系列:  CSD87501L

晶体管类型:  2 N-Channel

宽度:  1.47 mm

商标:  Texas Instruments

下降时间:  712 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  260 ns

工厂包装数量:  250

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  709 ns

典型接通延迟时间:  164 ns

单位重量:  3.100 mg